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正文:
首先,由于半導(dǎo)體先于電介質(zhì)打印,打印電介質(zhì)過程中使用的溶劑不
能對(duì)半導(dǎo)體層性能造成很大的影響,這一點(diǎn)非常關(guān)鍵。此外,為了制備出
無(wú)針孑L的電介質(zhì)層,半導(dǎo)體層本身必須足夠光滑。特別需要注意接觸處附
近的邊緣,以確保電介質(zhì)覆蓋得當(dāng)。如處理不當(dāng),可能會(huì)造成介質(zhì)層較多
氣子L,會(huì)導(dǎo)致柵極和源極/漏極之間連接短路。其次,在頂柵型結(jié)構(gòu)的典
型工藝流程中,半導(dǎo)體層要優(yōu)先于其他各層進(jìn)行印刷,嚴(yán)格限制了打印的
熱處理過程。半導(dǎo)體必須能夠耐受燒結(jié)各層時(shí)所需的溫度,因而限制了電
介質(zhì)和導(dǎo)體材料的靈活選擇。
底柵型結(jié)構(gòu)工藝整合制備底柵型結(jié)構(gòu)晶體管的典型工藝流程
在底柵型結(jié)構(gòu)的典型工藝流程中。半導(dǎo)體層是最后打印的。這為半
導(dǎo)體熱耐受性和溶劑兼容性的選擇提供了最大的靈活度,但也限制了電介
質(zhì)的選擇。顯然,與頂柵型結(jié)構(gòu)一樣,在底柵型結(jié)構(gòu)中,柵極和源極/漏
極之間的電介質(zhì)層的針孑L是關(guān)鍵的因素。由于底柵型結(jié)構(gòu)中界面形貌相對(duì)
復(fù)雜,電介質(zhì)的階梯覆蓋就成了優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù)。如果電介質(zhì)沒能包覆柵
極的邊緣,將會(huì)造成短路,損壞設(shè)備。底柵型結(jié)構(gòu)已經(jīng)同燒結(jié)納米顆粒電
極以及交聯(lián)電介質(zhì)聯(lián)用‘博’。顯示了底柵型結(jié)構(gòu)在工藝集成方面的優(yōu)勢(shì)
。此外,最近有報(bào)道提出,對(duì)許多半導(dǎo)體而言采用頂柵型結(jié)構(gòu)可獲得最佳
的半導(dǎo)體性能,這是由于前面所述的頂柵型結(jié)構(gòu)所具有的界面和形貌方面
的優(yōu)勢(shì)。
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