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正文:
掃描電阻顯微鏡
掃描電容顯微鏡可以作為定性的多維載子濃度影像的動態(tài)觀察與分析,但是其定量分析上的準確度及精確性,
則有其先天的困難度;主要是由于使用掃描電容顯微技術時,探針下的氧化物(介電層)的品質(zhì)及厚度的控制不易。
掃描電阻顯微技術則可以作為多維載子濃度影像的動態(tài)定量觀察,因為此技術是將導電探針刺穿半導體試片表面氧化層,
直接量測與試片背面的電極之間的電阻,因此沒有氧化物干擾的因素,但卻是一種破壞性的量測技術。
掃描電阻顯微技術,可以準確地動態(tài)定量觀察多維載子濃度及分佈影像,而量測出有效閘極長度(effective gate length),
觀察分析到瞬間增益擴散效應(transient enhanced diffusion effect, TED) 。
如表一所示,由于掃描電阻顯微技術是一種破壞性的量測,加上使用較昂貴的導電鉆石探針,
探針壽命短且量測時間長等應用上的缺點,使得結合掃描電阻及掃描電容兩種顯微技術成為實際應用上較可行的方式。
因為掃描電阻顯微技術不受偏壓影響,具有定量的精確度,
所以可以在掃描電容顯微量測后,針對特定的點或線,作掃描電阻顯微量測,以提供定量的校正曲線。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科