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正文:
雖然掃描電流顯微鏡的解析度(resolution)為納米等級,
但其技術(shù)于量測上卻依舊存在多項因素的干擾,
其中包含了:量測時的不確定度、掃描速率與光擾效應(photoperturbation effect)等,
這些因素皆會影響量測分析進行時的準確性。為了得到更加精確的量測結(jié)果,
其中Φ為能障高度(barrier height),不同的樣品和材料決定了不同的Φ值。Vox為所施加于氧化層上的電壓,
τox為氧化層的厚度,A為與等效質(zhì)量m相關(guān)的常數(shù)。因此,我們可在不同偏壓的情況下判斷FWHM值是否也產(chǎn)生變化,
當施加偏壓使得FWHM值有明顯的變化后,接著再回復到較低偏壓進行電流分布統(tǒng)計的量測,觀測其FWHM值是否有所變化,
利用此法可判斷所施加的偏壓是否對量測試片產(chǎn)生破壞,倘若此偏壓沒有造成試片的破壞又可以觀測出試片的電流分布變化,
即是一種較佳的非破壞性量測方式。而這個方法不僅可在掃描電流顯微鏡平臺上建立出新穎且迅速的閘極氧化層檢測技術(shù),
同時也可用來進行量測不確定度的判定,有助于量測進行時的準確性。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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