標(biāo)題：不同位置及溫度改變的微光激發(fā)熒光光譜-熒光顯微鏡廠家
信息分類(lèi):站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2013-4-27 21:39:32
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正文:
利用光激發(fā)熒光光譜、微光激發(fā)熒光光譜及原子力顯微鏡，來(lái)研究高銦含量氮化銦鎵（InxGa1-xN）
薄膜結(jié)構(gòu)的發(fā)光特性。由光激發(fā)熒光光譜，觀察在室溫下氮化銦鎵合金濃度分佈在0 ≦x ≦ 1之間的發(fā)光位置。
在原子力顯微鏡的影像發(fā)現(xiàn)，高銦含量（0.92≦ x ≦ 0.36）的氮化銦鎵表面有團(tuán)狀物的形成，
同時(shí)在變溫光譜中，其訊號(hào)峰值隨溫度上升，有一S型的能量變化外，
半高寬變化也有不規(guī)則的改變。最后藉由不同位置及溫度改變的微光激發(fā)熒光光譜，
來(lái)加以探討這些不尋�，F(xiàn)象的原因
在半導(dǎo)體光電元件的發(fā)展過(guò)程中，尋找高效能的發(fā)光材料一直是大家努力的方向之一，
由于化合物半導(dǎo)體材料本身具有相當(dāng)多的優(yōu)
點(diǎn)：如發(fā)光效率高、操作生命期長(zhǎng)、能隙可調(diào)范圍大……等優(yōu)點(diǎn)，因此能在許多發(fā)光材料中脫穎而出。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
特別聲明：本文出自北京上光儀器有限公司-未經(jīng)允許請(qǐng)勿轉(zhuǎn)載，本文地址：http://www.bjsgyq.com/news/4199.html
北京地區(qū)金相顯微鏡專(zhuān)業(yè)的供應(yīng)商
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