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正文:
使用電化學(xué)沉積法在透明導(dǎo)電玻璃(ITO)上制備氧化鋅和氧化亞銅。氧化鋅電鍍?yōu)閮呻A段制程,
使用兩階段制程不但能使晶體致密,大幅提升了穿透率,形成氧化鋅為柱狀晶體,
以c軸垂直基材成長,XRD結(jié)果顯示多晶氧化鋅鍍層具有(002)優(yōu)選方位。
氧化亞銅是藉由電化學(xué)沉積法于固定電流下控制反應(yīng)的時間,得到氧化亞銅鍍層結(jié)構(gòu)。
經(jīng)由XRD及XPS分析可以確定氧化亞銅為立方結(jié)構(gòu),SEM顯微鏡觀察發(fā)現(xiàn)到氧化亞銅是一個致密且不具孔洞的
表面型態(tài),并探討氧化鋅和氧化亞銅穿透率和微結(jié)構(gòu)的關(guān)系
氧化鋅為具有許多優(yōu)越性質(zhì)的直接能隙半導(dǎo)體材料,其應(yīng)用性也相
當(dāng)廣泛,可應(yīng)用于光電轉(zhuǎn)換元件等,然而現(xiàn)在制程幾乎都比較昂貴且制程需
在高溫狀態(tài)下,薄膜內(nèi)部易有殘留熱應(yīng)力存在,而電化學(xué)方法相對低成本、
低溫及效率高等優(yōu)點。氧化亞銅是少數(shù)可用電化學(xué)沉積制備取得的半導(dǎo)體材
料,其能隙約2.15 eV恰在可見光波長,可以應(yīng)用在太陽能電池當(dāng)陰極材料,
因此極具發(fā)展?jié)摿,若將氧化亞銅/氧化鋅/ITO結(jié)合會形成pin異質(zhì)接面,
其性質(zhì)值得探討研究。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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