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正文:
封裝技術已由覆晶封裝轉變?yōu)槿S立體封裝。
相對于覆晶封裝,三維立體封裝中所使用的焊錫高度已經縮減了一個數量級。
討論覆晶封裝與三維立體封裝中無鉛焊錫的熱遷移效應。在覆晶封裝中,
焊錫高度為100 μm,我們可以發(fā)現(xiàn)Sn 原子擴散至熱端,導致熱端有焊錫的質量突出而冷端
會有質量消耗甚至有孔洞生成,然而當焊錫高度縮減至5 μm 時,
工具顯微鏡下便無觀察到焊錫在熱端有明顯的微結構變化。造成在覆晶封裝與三維立體封裝中會有如此差異之情形,
假設這有可能是因為焊錫高度縮減使得Sn 原子在三維立體封裝中會比在覆晶封裝中擁
有更大的背向應力,導致Sn 原子所受的熱遷移驅動力會被背向應力所抵消掉,
以至于在三維立體封裝微型焊錫接點中Sn 原子不會有熱遷移發(fā)生。而于本篇論文也會討論其
臨界溫度梯度與焊錫高度之關系并且利用critical product 計算得到當工作溫度為150 oC
時焊錫高度與驅動熱遷移的臨界溫度梯度曲線圖,當焊錫高度縮減時,
驅動Sn 原子產生熱遷移所需的臨界溫度梯度會隨之增大;反之當焊錫高度較高時,Sn 原子產生熱遷
移時所需的臨界溫度梯度也將會減少
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科