標(biāo)題：微米缺陷可以在斜射光線下用目測(cè)或顯微鏡觀察
信息分類(lèi):站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2015-4-2 18:26:47
將本頁(yè)加入收藏
下一篇：陶瓷工藝顯微多相體結(jié)構(gòu)分析圖像顯微鏡
上一篇：重疊組裝結(jié)構(gòu)和微波集成電路檢測(cè)顯微鏡
點(diǎn)擊查看產(chǎn)品參數(shù)和報(bào)價(jià)--丨--
---
---
---
正文:
微米缺陷可以在斜射光線下用目測(cè)或顯微鏡觀察到
表面缺陷
在混合集成電路中，基片的表面性能對(duì)電路的性能和可靠性的影響是
非常大的，由于基片表面直接與淀積材料相接觸，特別是基片的表面缺
陷會(huì)在淀積過(guò)程中延伸到材料中去，根據(jù)表面缺陷尺度的大小，基片表
面缺陷大致可以分為下面四類(lèi)：
1.原子尺度的缺陷：點(diǎn)缺陷、位錯(cuò)線、解理面上的單原子突出部分。
2.亞微米尺度的缺陷：拋光劃痕、拉制玻璃時(shí)留下的傷痕、氣孔，
3.微米尺度缺陷：研磨劃痕、多晶基片材料的晶界、針孔、基片互相
摩擦產(chǎn)生的劃痕、位制玻璃時(shí)留下的痕路。
4.宏觀缺陷：表面彎曲、燒結(jié)時(shí)掉在基片上的顆粒，上彎月面等。
原子尺度的缺陷對(duì)外延伸單晶膜和氧化膜的影響頗大，對(duì)混合集合電
路來(lái)說(shuō)，比較重要的是微米和亞微米尺度的缺陷，因?yàn)楹暧^缺陷比較容
易觀察出來(lái)，可由生產(chǎn)單位和使用者把有宏觀缺陷的基片是出，面放亞
微米缺陷則一般不易直接觀察，更嚴(yán)重的是往往在電路生產(chǎn)過(guò)程中還會(huì)
人為地增加這些缺陷，這里要特別指出的是，在清洗、安放時(shí)基片間的
相互摩擦的不銹鋼鑷子尖對(duì)基片的劃痕，都是在生產(chǎn)過(guò)程中人為產(chǎn)生的
缺陷。為此，在清洗和烘烤基片時(shí)，最好應(yīng)將基片固定在專(zhuān)用夾具上。
亞微米缺陷和微米缺陷可以在斜射光線下用目測(cè)或顯微鏡觀察到。如
果在制造電路前能把這些缺陷的基片剔除，則可大大提高電路的性能和
成品率
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
特別聲明：本文出自北京上光儀器有限公司-未經(jīng)允許請(qǐng)勿轉(zhuǎn)載，本文地址：http://www.bjsgyq.com/news/6793.html
北京地區(qū)金相顯微鏡專(zhuān)業(yè)的供應(yīng)商
北京地區(qū)金相顯微鏡專(zhuān)業(yè)的供應(yīng)商