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正文:
功率晶體管的熱性能由熱阻的大小來(lái)衡量-圖像
顯微鏡
功率晶體管的熱性能由熱阻的大小來(lái)衡量,功率晶體
管的熱阻是根據(jù)芯片溫度和封裝殼體的下表面溫度之差與
耗散功率之比來(lái)計(jì)算的,因此對(duì)功率晶體管熱阻的測(cè)試,
主要難點(diǎn)是
測(cè)量芯片溫度,通常測(cè)量芯片溫度有兩種方法
:一是熱敏電參數(shù)法,根據(jù)晶體管基極和發(fā)射極炎間的正
向壓降來(lái)推算芯片溫度,這種方法只能反映芯片上某種平
均溫度,不能測(cè)定芯片上和溫度分布,因此根據(jù)熱敏電參
數(shù)測(cè)定的晶體管熱阻,只能認(rèn)為是某種平均不能正常工作,
二是紅外掃描法,它是用紅外探測(cè)器來(lái)檢測(cè)芯片的輻射能
量密度分布,由此可以確定芯片的表面溫度分布,用這種
方法可以較準(zhǔn)確地測(cè)定芯片上有峰值溫度及其位置,用顯
微微熱成象法來(lái)研究晶體管的熱性能有很多優(yōu)點(diǎn),但是亦
有很多問(wèn)題需要研究和解決,如熱成象法必須在晶體管開
帽狀態(tài)下測(cè)試,開帽狀態(tài)與實(shí)際工作狀況有一定的差異,
芯片表面發(fā)射率的不確定度對(duì)測(cè)量有較大的影響,儀器設(shè)
備昂貴,需要有較高的初投資等。
顯微熱成象技術(shù)熱成象技術(shù)是把物體表面的紅外輻射
能量密度分布圖象轉(zhuǎn)換為可見光圖像,即用仂彩色圖象來(lái)
表示熱輻射能量密度的分布。
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北京顯微鏡百科
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