點(diǎn)擊查看產(chǎn)品參數(shù)和報(bào)價(jià)--丨--

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正文:
高質(zhì)量摻雜的亞微米層就是采用這個(gè)方法生長(zhǎng)的,它的主要
優(yōu)點(diǎn)是把生長(zhǎng)環(huán)境控制在超高真空中,以及在生長(zhǎng)之前用各種方
法清洗襯底的有效性(也就是說(shuō),以控制氣氛和離子轟擊的方式
進(jìn)行高溫?zé)崽幚?。
顯然,相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)外延法來(lái)說(shuō),分子束外延是不能進(jìn)行大批
生產(chǎn)的工藝過(guò)程;設(shè)備昂貴,而且優(yōu)點(diǎn)比較少。然而,這種外延
技術(shù)可以應(yīng)用在極薄結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)中,而通常的生長(zhǎng)工藝,這種控
制則更加困難。
目前實(shí)際應(yīng)用的鑒定技術(shù)是很多的,而且其數(shù)量正在日益增
加。事實(shí)上,每一種新型器件的問(wèn)世勢(shì)必隨之產(chǎn)生一種新的鑒定
技術(shù)。器件的發(fā)展包括著器件工程師不斷地向材料科學(xué)家提供其
所做器件在性能方面出現(xiàn)的問(wèn)題。其有關(guān)參數(shù)可以通過(guò)適當(dāng)?shù)臏y(cè)
量方法進(jìn)行單獨(dú)的檢定,并且相應(yīng)地改進(jìn)材料的工藝,使之適合
于器件的進(jìn)一步發(fā)展。因此,材料的鑒定正由高度復(fù)雜而專門的
技術(shù)向適用于生產(chǎn)的簡(jiǎn)單、通用和聯(lián)機(jī)測(cè)量的方向發(fā)展。
通常,首先把測(cè)量方法分為化學(xué)、物理和電學(xué)分析幾種,然后
再分為研究、試制和生產(chǎn)三個(gè)互相關(guān)聯(lián)的階段。對(duì)各種初步提純過(guò)
的原材料以及用它們所制備的體單晶來(lái)說(shuō),化學(xué)分析是必不可少
的。而對(duì)于薄層來(lái)說(shuō),因?yàn)榭捎米鞣治龅牟牧系牧繕O少,所以必須
采用專門的技術(shù)進(jìn)行測(cè)量。這些專門技術(shù)主要是由體材料的測(cè)試
方法發(fā)展起來(lái)的。然而,對(duì)表面層的研究尚需有更為特殊的方法。
物理分析可以給出關(guān)于半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和結(jié)晶學(xué)性能的數(shù)
據(jù),以及半導(dǎo)體的力學(xué)和幾何學(xué)特性。
電學(xué)分析測(cè)定的參數(shù)直接影響著用這種材料所做成的器件的
性能。所用的方法取決于器件結(jié)構(gòu)所造成的限制。
研究的順序并沒(méi)有明昂的界限.因?yàn)楦鞣N枝術(shù)是互相關(guān)聯(lián)
的。每一種方法都要在實(shí)際的器件范圍內(nèi)經(jīng)受檢驗(yàn),以便選擇出
最佳的鑒定方法。對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的主要的評(píng)論是將許多精力耗費(fèi)
在測(cè)量和記錄無(wú)用的或多余的數(shù)據(jù)上。無(wú)可非議,測(cè)量是要耗費(fèi)
時(shí)間和金錢的,因此就應(yīng)當(dāng)經(jīng)常根據(jù)所獲得的有用數(shù)據(jù)來(lái)重新估
計(jì)每一個(gè)測(cè)量方法的價(jià)值。
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