標題：使用電子顯微鏡研究加熱時微觀結構缺陷消失的過程
信息分類:站內新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2015-11-18 11:26:00
將本頁加入收藏
下一篇：多晶體金屬銅試件微孔雜質和產生研究金相顯微鏡
上一篇：粗糙晶粒金相分析圖像顯微鏡-帶金相分析軟件
點擊查看產品參數(shù)和報價--丨--
---
---
---
正文:
人們已經使用電子顯微鏡研究加熱時缺陷消失的過程。例如大約
在473k時，鋁中淬火位錯環(huán)逐漸縮小而最后消失。 該過程的激
活能為1．3電子伏持，這就提醒我們，該機理是位錯攀移， 因為通過
空位的散射位錯環(huán)能收縮。消失速率呈拋物線性變化，進一步縮小更
加迅速。淬火空位引起電阻率增量變化，測量這個變化表明：同樣溫度
范圍內鋁的位錯環(huán)消失時，其電阻率就恢復。實際上，電阻率曲
線有兩段：第一段在室溫下幾分鐘內發(fā)生，設想為空位在聚集并且形
成位錯環(huán)j第二段溫度為423k～473k之間發(fā)生，這是位錯環(huán)的消失
階段。用退火的方法較難于消除四面體缺陷。金中的四面體缺陷溫度
為873～923k的范圍內才消失，并與電阻率的顯著下降相對應。1
溫度為623～673k退火時，位錯環(huán)消失(自擴散) 的激；活能約為1．8
電子伏特，而四面體運動的激活能接近5電子伏特。
更詳細的觀測可知，大量輻照的金屬中，直徑約25埃的小暗點或
者觀察到的更小的暗點很可能是發(fā)生貧化的區(qū)域而不是位錯環(huán)
不僅在一般的輻照溫度下，而且在低于223K的溫度下，銅中也容易
形成這些小暗點。這一跡象提醒我們，小暗點是就地形成而不是擴散
形成的。更進一步的研究得知，小暗點濃度的增加與輻照成正比，不
同于已經觀察到的較大位錯環(huán)。在相當?shù)偷臏囟?銅、銀為623K以
下)下進行退火時；可能由于預先未分解的缺陷的長大而出現(xiàn)更多的
的小缺陷。其后，某些黑點以消耗其它小點而得到生長。
現(xiàn)在討論微觀結構更明顯特性的位錯環(huán)精確性質。已經發(fā)現(xiàn)了間
隙型和空位型位錯環(huán)的證據(jù)，但這些試驗指出，空位型的位錯環(huán)是主
要的
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科