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正文:
位置靈敏探測器
半導體探測器發(fā)展的早期,就試圖制造一種小巧的同時是位
置和能量靈敏的器件。在這些早期的器件中,用鑲嵌許多分開的
探測器的組創(chuàng),或在同一基片材料上制成一定數(shù)目的適當分開的
面壘型計數(shù)器,來得到對入射粒子位置的靈敏性。
位置靈敏探測器”近來代替了這些系統(tǒng),因為它結構簡單,簡
化了相關的電子學線路并有較好的位置分辨率(探測器單元之間
不存在死空間)。使用這些器件能夠直接記錄粒子的角分布或者
代替磁譜儀上用的照像底板。它能夠同時分析入射粒子的動量和
能量,避免了對照象底板作繁瑣的顯微鏡觀測。
晶格的結構缺陷
人們通常把半導體晶體假設為靜止原子的完美的周期性結
構。實際的半導體與這種情況有許多差別,這種差別主要有熱振
動、雜質和結構上的缺陷。對半導體輻射探測器來說,在制造過程
中很容易產(chǎn)生結構缺陷(在375℃時鍺就發(fā)生塑性變形)。結構
缺陷也可以由輻射引起。
缺陷的重要性主要在于它們對遷移率、復合和俘獲現(xiàn)象的影
響,我們以后再研究它。在半導體中存在的結構缺陷,大致可分為
如下幾類:口)點缺陷;6)線缺陷;c)面缺陷。因為關于面缺陷(即
。臺內平面或表面的不完整性),目前知道得不多,而且它們并不顯
得非常重要,所以我們著重討論前兩類缺陷。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科