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標(biāo)題：電子電路和元器件產(chǎn)生噪聲的基本原因檢測(cè)顯微鏡

信息分類(lèi):站內(nèi)新聞　　 作者:yiyi發(fā)布　　 時(shí)間:2016-8-6 2:31:36 將本頁(yè)加入收藏

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正文:

電子電路和元器件產(chǎn)生噪聲的基本原因檢測(cè)顯微鏡

電荷的電子探測(cè)

    光電傳感過(guò)程的最后一步是對(duì)光激發(fā)電荷包的精確電子探測(cè)。

很明顯，電子電荷探測(cè)電路只增加了數(shù)量較小的噪聲，因此即使是

非常小的電荷包，甚至可以小到一個(gè)單位電荷包，也能被準(zhǔn)確地探

測(cè)到。

    電子電路和元器件產(chǎn)生噪聲的基本原因是由于自由電子與周?chē)?/div>

環(huán)境發(fā)生熱相互作用而產(chǎn)生的。在組成電子元器件的導(dǎo)電材料中，

電子運(yùn)動(dòng)具有隨機(jī)成分，因?yàn)樗鼈兊膭?dòng)能不為零電子電荷探測(cè)

   在室溫環(huán)境中實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)于單電子均方根分辨率能力的電荷波

包電子探測(cè)顯然是很實(shí)際的。如果讀出噪聲的均方根小于0．2～0

．4個(gè)電子，就能實(shí)現(xiàn)真正的單電子電荷探測(cè)。

    將這種單電子電荷探測(cè)電路與適合的光電探測(cè)材料相結(jié)合就能

夠?qū)崿F(xiàn)量子效率接近于100％的單光子分辨能力的光電傳感器，其

中暗電流密度能夠達(dá)到足夠小的水平，幾何填充因子接近于1個(gè)單

位量級(jí)。本書(shū)隨后的章節(jié)將介紹幾種采用混合技術(shù)實(shí)現(xiàn)的單光子電

子圖像傳感器。

    由于無(wú)處不在的硅材料技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)噪聲小于單個(gè)電子均方根

的片上和內(nèi)部像素電荷探測(cè)電路，而且在可見(jiàn)光和近紅外光譜范圍

，硅材料的量子效率接近于100％，像素結(jié)構(gòu)使幾何填充因子接近1

00％，因此可以制作出單片集成和性?xún)r(jià)比高的單光子電子圖像傳感

器。當(dāng)前研發(fā)的背照式基于CMOS圖像傳感器技術(shù)填補(bǔ)了低成本單光

子圖像傳感器的空白

出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科

特別聲明：本文出自北京上光儀器有限公司-未經(jīng)允許請(qǐng)勿轉(zhuǎn)載，本文地址：http://www.bjsgyq.com/news/8730.html 　
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