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正文:
模擬方法可用來詳細(xì)研究壓印工藝各步驟的順序利用這一方法對熱
納米壓印光刻中的缺陷進(jìn)行了分析,并研究了聚合物薄膜變形過程
的動(dòng)力學(xué)問題。他們研究發(fā)現(xiàn),采用該方法的模擬結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果
非常一致。他們采用數(shù)值分析準(zhǔn)確地辨認(rèn)出了聚合物拐角處附近的
一個(gè)應(yīng)力集中點(diǎn)。該應(yīng)力集中點(diǎn)是在溫度低于t時(shí)對聚合物施加壓
印壓力所造成的,且這一應(yīng)力集中點(diǎn)導(dǎo)致了聚合物在后續(xù)的模具分
離步驟中破裂等缺陷,F(xiàn)已證明,在各種幾何尺寸與壓力條件下,
對抗變形過程進(jìn)行分析得到的聚合物橫截面輪廓模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)
果非常吻合,兩者在數(shù)值上非常一致。
對電沉積工藝進(jìn)行數(shù)值模擬十分具有挑戰(zhàn)性,因?yàn)檠芯咳藛T必
須對一個(gè)耦合非線性方程組系統(tǒng)進(jìn)行求解。在不同物理狀況下,其
控制方程組會(huì)發(fā)生變化,這使得模擬工作更加復(fù)雜。例如,沉積電
流會(huì)隨著一次、二次、三次或者擴(kuò)散限制狀態(tài)而變化。此外
,對作為沉積驅(qū)動(dòng)力的電極動(dòng)力學(xué)進(jìn)行表征至關(guān)重要。但是,反應(yīng)
離子在緊鄰沉積界面的區(qū)域的聚集和電極表面的超電動(dòng)勢會(huì)影響電
極動(dòng)力學(xué)性能,并使其表征更加復(fù)雜。
因此,電沉積工藝過程的控制方程可能包括所有的動(dòng)量方程、
熱力方程、濃度方程和電動(dòng)勢方程,或者是上述方程的任何組合,
而且電沉積工藝過程中電子的遷移和傳送和電極表面的反應(yīng)速率邊
界條件(這點(diǎn)更重要)會(huì)使這些方程存在不同
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