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標(biāo)題：多晶硅覆蓋的柵氧區(qū)厚度截面金相分析顯微鏡

信息分類:站內(nèi)新聞　　 作者:yiyi發(fā)布　　 時(shí)間:2017-4-28 1:30:21 將本頁(yè)加入收藏

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正文:

多晶硅覆蓋的柵氧區(qū)厚度截面金相分析顯微鏡

    光電倍增管是很理想的探測(cè)器，但它是一種一元探測(cè)器，這是

其最大的弱點(diǎn)。雖然目前已研制出多陰極光電倍增管，它相當(dāng)于許

多很細(xì)的倍增管組成的矩陣，但目前也只能作到一百個(gè)左右的通道

，與期望值相比還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足。

    近年來(lái)，在天文觀測(cè)中(主要是對(duì)暗目標(biāo)的觀測(cè))，二維光電器

件得到越來(lái)越多的應(yīng)用。二維光電器件兼?zhèn)淞苏障嗟灼�和光電倍�?/div>

管的優(yōu)點(diǎn)，是一種更為理想的探測(cè)器。按其工作原理和結(jié)構(gòu)可分為

:像增強(qiáng)器、電子照相機(jī)和電視型探測(cè)器等。

    二相CCD

    為使CCD能在二相時(shí)鐘脈沖驅(qū)動(dòng)下工作，電極本身必須設(shè)計(jì)成

某種不對(duì)稱性，即由電極結(jié)構(gòu)本身保證電荷轉(zhuǎn)移的定向性。產(chǎn)生這

種不對(duì)稱性的最常用的方法是利用絕緣層不同厚度的臺(tái)階和離子注

人來(lái)產(chǎn)生內(nèi)勢(shì)壘。

    臺(tái)階氧化層二相結(jié)構(gòu):形成臺(tái)階氧化層電極結(jié)構(gòu)的方法可以有

多種，現(xiàn)在多采用二相硅一鋁交疊柵結(jié)構(gòu)。第一層電極采用低電阻

率多晶硅。在這些電極上熱生長(zhǎng)絕緣氧化物的過(guò)程中，沒(méi)有被多晶

硅覆蓋的柵氧區(qū)厚度也將增長(zhǎng)。第二層電極采用金屬鋁電極，鋁柵

下絕緣物質(zhì)厚度與硅柵下不同，因而在相同柵壓下形成勢(shì)壘，它的

作用是將各個(gè)信號(hào)電荷包隔離并且限定電荷轉(zhuǎn)移的方向。這種結(jié)構(gòu)

的顯著優(yōu)點(diǎn)是電極間發(fā)生短路的可能性小，成品率高，適用于高性

能、高封裝密度的大型CCD器件。

    注人勢(shì)壘二相結(jié)構(gòu):采用離子注人技術(shù)可在電極下面獲得表

面勢(shì)不對(duì)稱結(jié)構(gòu)。在N溝道中可注人硼原子，當(dāng)其離化后在表面

產(chǎn)生固定的負(fù)電荷，這種負(fù)電荷使電壓提高，形成臺(tái)階梯狀的勢(shì)壘

分布。注人勢(shì)壘比氧化物臺(tái)階勢(shì)壘可以做得更高些。

    二相CCD結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)脈沖簡(jiǎn)單，在相同的時(shí)鐘頻率下

電荷包轉(zhuǎn)移一個(gè)單元所需時(shí)間短些。與三相CCD相比，布線也比

較簡(jiǎn)單，但它的單元存貯電荷的容星卻不如三相CCDO

    除了這兩種 CCD結(jié)構(gòu)外，廣泛采用的CCD結(jié)構(gòu)還有虛相(單

相)CCD和四相CCD，它們也各有優(yōu)缺點(diǎn)。

出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科

特別聲明：本文出自北京上光儀器有限公司-未經(jīng)允許請(qǐng)勿轉(zhuǎn)載，本文地址：http://www.bjsgyq.com/news/9740.html 　
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