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正文:
對(duì)于使用先進(jìn)工藝制造并被設(shè)計(jì)成工作在高頻條件下的器件,小延
遲缺陷測(cè)試是獲得高質(zhì)量部件所必需的。在本章中,研究了
測(cè)量SD
D的測(cè)試覆蓋率的覆蓋率指標(biāo)的課題,嚴(yán)格地檢驗(yàn)了之前所提出的S
DD覆蓋率指標(biāo),并總結(jié)出它們不能滿足現(xiàn)實(shí)中的所有需求以及準(zhǔn)確
地測(cè)試覆蓋率度量。提出新的測(cè)量sDD測(cè)試覆蓋率的指標(biāo),它解決
了之前所提指標(biāo)的缺點(diǎn)。解釋了新指標(biāo)背后的原理,并針對(duì)幾種學(xué)
術(shù)界和工業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)電路給出了實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。還比較了兩種sDD測(cè)
試策略在提高測(cè)試的SDD覆蓋率方面的有效性,也就是時(shí)序敏感ATP
G和超速測(cè)試。
有關(guān)多種故障模型、測(cè)試方法以及可測(cè)性設(shè)計(jì)(DfL)技術(shù)的基本
概念,并對(duì)過渡故障測(cè)試(發(fā)射傳遞(1aunch on shift)和發(fā)射捕獲
(1aunchon capture)]以及測(cè)試模式生成(健壯性和非健壯性)做了
一次詳盡的敘述。這個(gè)敘述對(duì)理解過渡故障模式是如何幫助檢測(cè)小
延遲缺陷來說是必不可少的。接下來,確定了針對(duì)現(xiàn)代先進(jìn)的工藝
中的小延遲缺陷特殊測(cè)試的需求。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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