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哈式槽-電鍍實驗槽電鍍后處理以顯微鏡觀察！

研究方法
一、哈林槽電鍍實驗：
將通孔板以 3%H2SO4 清洗后，置入只含VF1 或VF2、Cl-等添加劑的硫酸銅電
鍍液電鍍槽中，進行電鍍，電流密度控制在1.5A/ft2（ASF）、電鍍時間則是依據(jù)通
孔之大小而定，一般為5 到12 小時。

二、電鍍后處理：
電鍍完后取出 PCB 后以超純水沖后迅速以吹風(fēng)機吹乾，以金相顯微鏡觀察其
銅表面結(jié)構(gòu)并拍攝照片記錄，將欲觀測之通孔部分用沖床機取下后，加以灌膠、
研磨、拋光、蝕刻后，再以O(shè)M 觀測通孔截面結(jié)構(gòu)，并拍攝金相顯微鏡照片記錄。

三、電化學(xué)實驗：
將白金旋轉(zhuǎn)電極預(yù)鍍 500 nm 厚度之銅膜，電鍍液：200g/L CuSO4．5H2O ，
3/12
溫度控制在25℃，待溫度升至設(shè)定溫度后分別將旋轉(zhuǎn)工作電極，計量電極（Counter
Electrode,銅棒）以及參考電極（飽和硫酸亞汞，S.S.E.)，置入試驗杯中。
循環(huán)線性掃描伏安法（Cyclic Linear Sweep Voltammetry，CLSV）:工作電極轉(zhuǎn)
速分別為0、500 rpm，掃瞄范圍：OCP~-0.70V(vs. S.S.E.)，掃瞄速度：1mV/s。
計時電位分析法（Chronopotentimetry，CP ）：工作電極轉(zhuǎn)速分別為500、1500 rpm，
電流密度：1.5 ASF。

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