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正文:
圓片制作各種圖形對(duì)
測(cè)量設(shè)備的要求是不同的
在掩膜及圓片制作中,對(duì)幾何尺寸的測(cè)量是決定工作質(zhì)量好壞的最后
判決。在超平整表面上形成圖形的整個(gè)工藝過(guò)程,只有當(dāng)形成符合預(yù)先計(jì)
算的線寬的一套幾何圖形后,才能算結(jié)束。而釹電子制備的全部工藝過(guò)程
的成敗,很大程度決定于對(duì)半導(dǎo)體表面上形成的幾何圖形測(cè)量的精確性和
可靠性。
·’現(xiàn)在:掩膜和圓片制備的圖形尺寸在1μm的范圍內(nèi),因此相應(yīng)的臨
界尺寸的容差在0.2~0.4μm范圍內(nèi),并且正日趨減小。掩膜生產(chǎn)發(fā)展的
趨勢(shì)是圖形精度和生產(chǎn)批量的進(jìn)一步提高。圖形尺寸的測(cè)量設(shè)備都在翻新
,變得越來(lái)越高級(jí)。在本章中,我們只能盡我們所知來(lái)綜述各種測(cè)量方法
。
各種圖形對(duì)測(cè)量設(shè)備的要求是不同的,應(yīng)該正確了解實(shí)’際的需要,
才能正確地確定所需的測(cè)量設(shè)備。對(duì)研究部門來(lái)說(shuō),由于從事的圖形的幾
何尺寸已處于科學(xué)發(fā)展的前沿,而且對(duì)測(cè)量設(shè)備的需要量特別小,因此應(yīng)
該具備最先進(jìn)的測(cè)量設(shè)備。而在圓片生產(chǎn)線中情況完全不同,實(shí)行三班制
工作,一為保證質(zhì)量需對(duì)大量盼幾何尺寸進(jìn)行測(cè)量。我們將闡述掩膜制備
工藝流程的各個(gè)不同步驟,并確定用于檢驗(yàn)圖形的設(shè)備,整.個(gè)闡述過(guò)程
從數(shù)據(jù)磁帶的原始輸出開始,一直到集成電路芯片進(jìn)行終端測(cè)試和封裝以
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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