標(biāo)題：掃描式電子顯微鏡觀察蝕刻后基板表面的粗糙度
信息分類(lèi):站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2013-3-5 22:49:06
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正文:
表面輪廓之量測(cè)
本節(jié)之表面輪廓量測(cè)包括了表面輪廓測(cè)厚儀(Dektak 3030ST)以及
掃描式電子顯微鏡之量測(cè)。由掃描式電子顯微鏡的量測(cè)結(jié)果，我們
可得知對(duì)準(zhǔn)的精準(zhǔn)度對(duì)于八階微透鏡的制作是相當(dāng)重要的﹔在灰階
微透鏡由表面輪廓測(cè)厚儀的量測(cè)結(jié)果，可知灰階微透鏡經(jīng)由蝕刻之
后，圖案轉(zhuǎn)移的情形﹔由掃描式電子顯微鏡的結(jié)果可知灰階微透鏡
經(jīng)由蝕刻后基板表面的粗糙度
八階微透鏡之量測(cè)
理論上經(jīng)由三道的微影及蝕刻之制程后，就可得到八階微透鏡。
在量測(cè)儀器上表面輪廓測(cè)厚儀的探針尖端不夠精細(xì)，若元件的週期
性小于 10μm，垂直深度往往就無(wú)法正確地量測(cè)﹔對(duì)八階微透鏡而
言，其線(xiàn)寬在 2μm 左右，所以每一階的蝕刻深度就無(wú)法用表面輪廓
測(cè)厚儀正確量測(cè)。所以我們就使用掃描式電子顯微鏡。
圖 4-2 (a)及圖 4-2(b)為同一片石英玻璃上所制作的八階微透鏡
之掃描式電子顯微鏡圖形(傾斜 45 度角)，由圖 4-2 的結(jié)果得知，此
兩圖的元件形狀大致相同，也知八階分階的結(jié)果非常不理想﹔其原
因是元件外圈部分是經(jīng)過(guò) 3 次的蝕刻，而這三次的蝕刻時(shí)間是隨倍
數(shù)增加的，由于第三次的蝕刻時(shí)間過(guò)長(zhǎng)造成元件外圈的分階效果不彰。
第一次的蝕刻時(shí)間為 7 分鐘，經(jīng)量測(cè)后蝕刻深度為 0.16μm，而
理論上的蝕刻深度為 0.18μm，蝕刻誤差為 9%﹔第二次為 15 分鐘，
經(jīng)量測(cè)后蝕刻深度為 0.26μm，而理論上的蝕刻深度為 0.35μm，蝕
刻誤差為 26%﹔第三次為 35 分鐘，經(jīng)量測(cè)后蝕刻深度為 0.56μm，
而理論上的蝕刻深度為 0.70μm，蝕刻誤差為 16%﹔總蝕刻深度為
1μm，而理論上的總蝕刻深度為 1.26μm，蝕刻誤差為 22%。在第二
章我們談到所制成的微透鏡其焦距誤差要控制在±100μm 之內(nèi)，則蝕
刻深度誤差不能超過(guò)-10%~15%，相當(dāng)于蝕刻深度誤差不能超過(guò)
0.13μm~ 0.19μm，由于在制作八階微透鏡期間活性離子蝕刻系統(tǒng)的
不穩(wěn)定度，造成我們的蝕刻誤差范圍較大﹔但以目前的技術(shù)而言在
0.13μm~0.19 μm 之間的實(shí)驗(yàn)誤差應(yīng)是可以控制的
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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北京地區(qū)金相顯微鏡專(zhuān)業(yè)的供應(yīng)商
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