標(biāo)題：晶圓檢測(cè)顯微鏡-判斷研磨品質(zhì),顆粒大小測(cè)量
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2013-3-19 11:54:55
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正文:
晶片切割研磨
完成制程晶圓(Wafer)我們將它切成晶片(Chip)，因?yàn)殁壦徜囋谇懈钸^(guò)程容易破裂，
依照經(jīng)驗(yàn)我們必須控制切割時(shí)的進(jìn)刀速度小于０．５mm/sec以防止晶片破裂。
完成晶片切割后，在晶片的兩端貼上同等寬度的鈮酸鋰擋片(Block)，
做角度切割后再研磨。貼上這擋片的用意是為了強(qiáng)化光波導(dǎo)與光纖結(jié)合強(qiáng)
度，并且可防止晶片研磨時(shí)邊緣破壞(Chipping)或圓化(Rounding)造成光
波導(dǎo)缺陷影響光耦合效率。
晶片研磨采用光纖研磨系統(tǒng)，研磨系統(tǒng)的組成包含研磨機(jī)、晶片夾具、研磨片及加壓錘。
首先我們將晶片鎖在夾具上，夾具夾持的方式是靠機(jī)械夾持，
夾持的部位在晶片的末端擋片上不會(huì)對(duì)光波導(dǎo)造成破壞，夾持方式也不需使用蜜臘，
省了繁雜的上密臘與清潔密臘的程序。夾具基座的用處在于提供一個(gè)平臺(tái)，
使晶片夾持時(shí)每一片的伸出量相等，使每一片晶片在同一研磨面上，并且可藉此校準(zhǔn)每一片晶片的研磨角度。
加壓錘可加入不同重量的砝碼來(lái)調(diào)整研磨壓力，配合不同大小顆粒的研磨片加上適
當(dāng)?shù)膲毫σ源_保研磨效果，
研磨機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)為固定轉(zhuǎn)速 120rpm 公轉(zhuǎn)及 2rpm 自轉(zhuǎn)，所以切削量是藉由時(shí)間長(zhǎng)短來(lái)控制，由于研磨方式采取顆粒大小漸進(jìn)
變化所以可縮短研磨時(shí)間至半小時(shí)以內(nèi)，
研磨結(jié)果使用工業(yè)檢測(cè)顯微鏡檢查判斷研磨品質(zhì)，不容許太多刮痕，因?yàn)楣魏墼蕉喙獠▽?dǎo)被刮到的機(jī)率越高，一般要求刮痕少于五條
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
特別聲明：本文出自北京上光儀器有限公司-未經(jīng)允許請(qǐng)勿轉(zhuǎn)載，本文地址：http://www.bjsgyq.com/news/4063.html
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