標(biāo)題：陶瓷材料微觀結(jié)構(gòu)測定金相顯微鏡廠-電子元件封裝
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2013-10-21 21:41:49
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正文:
氮化鋁為 III/V 之材料，亦系一種人工陶瓷材料，
為六方晶系之纖鋅礦型（hexagonal wurtzite）結(jié)構(gòu)，其氮原子及
鋁原子之間主要系以共價鍵結(jié)合，由四面體配置之強(qiáng)共價鍵所構(gòu)成，
且氮化鋁之能隙（energy band gap）（約為 6.2 eV）為 III/V 族半導(dǎo)體中能隙最高，
且為無色而透光、高熱傳導(dǎo)率、高硬度、抗高溫、抗化學(xué)腐蝕、壓電性質(zhì)
以及生物親合性等特性之材料。由于氮化鋁擁有
與 Si 相近之熱膨脹系數(shù)，因此被認(rèn)定為 IC 封裝之最佳材
料，故目前大多應(yīng)用于散熱體、電子陶瓷基板、電子元件封裝材料與表面聲波
氮化鋁薄膜之備制
利用射頻濺鍍方式，分別備制氮化鋁薄膜于氧化銦錫玻璃、
硅及二氧化硅/硅三種不同基板上。其濺鍍靶材為鋁靶，
通入氬氣（Ar）及氮?dú)猓∟2）流量比為 3:1，濺
鍍功率 80W，濺鍍工作壓力為 10 mTorr 之環(huán)境下以基板溫
度 50°C 沉積氮化鋁薄膜于氧化銦錫玻璃、硅及二氧化硅/
硅基板上，此外亦分別以 100°C 及 150°C 之基板溫度沉積
薄膜于上述三種基板上，
以形成 AlNX/ITO Glass、AlNX/Si及 AlNX/SiO2/Si 之結(jié)構(gòu)，
備制完成之氮化鋁薄膜利用場發(fā)射掃描式電子顯微鏡
（field-emission scanning electron microscope, FE-SEM）觀察其表面結(jié)構(gòu)形態(tài)
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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北京地區(qū)金相顯微鏡專業(yè)的供應(yīng)商
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