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正文:
破壞零組件的外觀須詳細紀錄,可以繪圖或照相的方式記錄其破壞的程度
﹙如樣品外觀、位置、形狀、破壞外觀等﹚
試樣的選擇,有時需同時考慮比較已破壞與未破壞的零件,
以確定到底是原來的制造品質不良,或是后來的使用條件所造成。
發(fā)光二極體的界面溫度(Junction temperature)量測
就目前的研究顯示,發(fā)光二極體的發(fā)光亮度與壽命會隨著晶片界面溫度的提升而隨之衰減,
即溫度越高不僅會造成發(fā)光亮度下降,亦會加速發(fā)光二極體的劣化,
因此,降低發(fā)光二極體的界面溫度已成為現(xiàn)今刻不容緩的課題之一。
欲降低發(fā)光二極體的界面溫度,首先必須先了解發(fā)光二極體界面溫度的量測方法;
量測發(fā)光二極體的界面溫度共有下列幾種方法:
(1) 顯微拉曼光譜(micro-Raman spectroscopy)
(2) 熱阻(thermal resistance)
(3) 電激
熒光法(electroluminescence)
(4) 光激熒光法(photoluminescence)
(5) 非接觸法(noncontact method)
(6) 向列液晶(nematic liquid crystal with infrared laser illumination)
(7) 順向電壓法(forward voltage)
其中,顯微拉曼光譜、電激熒光法與光激熒光法因其量測精準度較低(±10oC),
因而較不常被使用;非接觸法也因量測精準度低且只能應用于單顏色發(fā)光二極體
的界面溫度量測
,
因此其應用受到限制;惟獨順向電壓法因具有量測方便性且量測精準度遠高于其他量測方法,
因此成為最常被廣泛使用的量測方法。順向電壓法之所以可以量測發(fā)光二極體的界面溫度,
主要是因為順向電壓對溫度微分(dVf/dT)會呈一固定常數(shù),
藉由此一關系即可由順向電壓值推算其相對應的溫度值,
此相對應的溫度值即為發(fā)光二極體的界面溫度
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科