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正文:
研究晶體缺陷最普遍采用的透射電子顯微鏡技術(shù)需
要把一個光欄放進物鏡后焦面。這個光欄選取一束電子并保證只
有這束電子參加形成終端象。選取透射束得到亮場象,反之,選取
衍射束就形成暗場象。這種方法形成的象就是所選電子束強度在
晶體底面各點變化的電子象。如果從試樣的這個區(qū)域到另一區(qū)域,
透射束強度變化明顯,就得到亮場象襯,相應的效應也可在暗場中
出現(xiàn)。晶體局部彎曲是能引起電子束強度變化的一種最明顯的結(jié)
構(gòu)變化,這種變化可以由晶體缺陷、析出物等引起。如果局部彎曲
影響的是位于或接近于布拉格角的晶面,可以預言,局部區(qū)域的強
度會有重大變化。然而,如果彎曲畸變只涉及不滿足布拉格條件的
品面以及彎曲畸變不足以使晶面達到滿足布拉格條件,也不致引
起局部區(qū)域強衍射,可以預料,這時電子象不會有多大變化。根據(jù)
這個定性推理,可以知道,試樣的襯度看來取決于衍射條件,即特
定晶面是否發(fā)生強衍射和它們接近于布拉格條件的程度。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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