標(biāo)題：表面粗糙度對(duì)薄膜電路-混合集成電路檢測(cè)顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2015-4-2 12:16:02
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正文:
混合集成電路對(duì)基片的要求
1.基片平整度、粗糙度向
目前的薄膜集成電路，大部分直接做在基片上，為了保證能得到很好
的工藝重復(fù)性，和便于自動(dòng)化生產(chǎn)，基片表面一定要非常平整，同時(shí)表
面粗糙度對(duì)薄膜電路（特別是薄膜電容器）的成品率影響非常大。薄膜
電路基片的粗糙度應(yīng)小于1000埃，而厚膜電路基片的粗糙度可略差一些
，例如對(duì)膜厚為10-25微米的厚膜，基片的粗糙度應(yīng)小于3微米。
2.良好的電氣性能
基片應(yīng)該具有良好的絕緣性能，即要有向的電阻率，隨著混合集成電
路在微波波段應(yīng)用。
3.高的導(dǎo)熱系數(shù)
隨著集成度的提高和運(yùn)用功率的增加，在一些元、器件，特別是大功
率晶體管和電阻器附近，會(huì)發(fā)生大量的焦耳熱。如果這些熱量不及時(shí)散
發(fā)出去，將使電路過(guò)熱而損壞，因此，高的導(dǎo)熱系數(shù)有時(shí)成為大功率電
路選擇基片的重要條件。
4.與其它材料相匹配的熱膨脹系數(shù)
這種熱膨脹系數(shù)的匹配，可以減少溫度循環(huán)、溫度沖擊、焊接和電路
功耗變化等引起的熱應(yīng)力，在實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，如果基片與膜狀材料的熱膨
脹系數(shù)相差較大（不匹配），熱應(yīng)力足以把膜從基片上剝離下來(lái)，或使
電路不穩(wěn)定，基片的熱膨脹系數(shù)對(duì)膜狀電阻器值的一致性和電阻溫度系
數(shù)也有直接關(guān)系。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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