標(biāo)題：擴(kuò)散和氧化是制造集成電路的基本工藝-電路板檢測顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2015-7-27 16:00:23
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正文:
擴(kuò)散和氧化是制造集成電路的基本工藝-電路板檢測顯微鏡
擴(kuò)散和氧化是制造集成電路的基本工藝。擴(kuò)散是向硅晶體
摻入雜質(zhì)原子的方法。氧化是為掩蔽、鈍化和隔離在硅表面上
生長玻璃氧化層的過程。這兩種工藝通常都應(yīng)用了由管狀電阻
加熱爐所產(chǎn)生的高溫。
擴(kuò)散是物質(zhì)由原子布朗運(yùn)動引起的基本物理、化學(xué)性質(zhì)。在
顯微鏡下看，擴(kuò)散過程是各個可識別的實(shí)體(例如電子、原子或
：分子)在濃度梯度方向上的傳播。擴(kuò)散物質(zhì)的運(yùn)動習(xí)慣上用“擴(kuò)
散系數(shù)”。一一量綱為面積，7單位時間——來表示。如果已知特定
環(huán)境下一種物質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)，就可以用解經(jīng)典擴(kuò)散微分方程的
：方法來預(yù)計(jì)該物質(zhì)(作為時問函數(shù))的運(yùn)動。
即使在擴(kuò)散過程中精確地控制擴(kuò)散時間，擴(kuò)散溫度和硅片
上的雜質(zhì)濃度，擴(kuò)散雜質(zhì)層的深度和薄層電阻的計(jì)算值也只是
接近實(shí)際測得的數(shù)值而已。在集成電路的生產(chǎn)中，為了取得良
好的控制和重復(fù)性，從所使用的專用設(shè)備上獲得的經(jīng)驗(yàn)曲線是
十分重要的。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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