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正文:
工業(yè)碳化硅樣品中的雜質(zhì)的光譜分析圖形學(xué)
顯微鏡
工業(yè)碳化硅的熱力水災(zāi)、X 射線、紅外線光譜及化學(xué)研究從熱力學(xué)
考慮,SiC 與結(jié)合劑之間可以在各種氣氛下發(fā)生反應(yīng),由此表明,有利
于優(yōu)先析出,實驗室試驗是以現(xiàn)游離是引起黑心的原因,是與此相符合
的,并且在工業(yè)產(chǎn)品內(nèi)也還可能有游離存在。
在似訂各種SiC 變體的X 射線定量分析方法時,發(fā)現(xiàn)了SiC 的結(jié)構(gòu)
概念都不是足以全面地解釋所有的X 射線圖譜,應(yīng)用這種方法求得了:
為純粹的六方SiC 中含有達(dá)到30% 的立方SiC ,否則假設(shè)的強(qiáng)度比率就
要加以改正了,各種SiC 試驗的紅外光譜具有特征的差別。
幾個工業(yè)SiC 樣品中的雜質(zhì)的光譜分析指出,雜質(zhì)對于顏色同,在
堿與酸中的溶解度以及
熒光性無確定的影響,另一方面,新發(fā)展的“溶
鹽試驗”指出SiC 損失數(shù)量隨雜質(zhì)增加與顏色加深而增大,顆粒極細(xì)的
SiC 試樣可以在氧化氣氬中迅速燒掉,還原氣氛引起黑心,而含硫氣氛
使粘土有結(jié)合劑的SiC 坯體在不同的溫度、結(jié)合劑、氣氛等條件下的燒
成實驗指出,為了避免出現(xiàn)黑心,應(yīng)當(dāng)在氧化氣氛下燒成,而燒成溫度
則取決于采用的結(jié)合劑。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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