標(biāo)題：復(fù)合材料的凝固過程碳化硅顆粒研究顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2016-2-4 10:17:00
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正文:
復(fù)合材料的凝固過程碳化硅顆粒研究顯微鏡
復(fù)合材料的凝固過程和界面狀態(tài)
SiC顆粒在基體中的分布訂和材料凝固速度，顆粒尺寸以及表
面微觀結(jié)構(gòu)有關(guān)，本試驗(yàn)中在枝晶中分布較少，而多偏聚于晶界
或共晶組織中，主要原因應(yīng)歸于凝固速度不夠快，
SiC顆粒被枝晶前沿逐漸移到共晶凝固區(qū)的結(jié)果，等人的研究結(jié)
果表明，當(dāng)凝固速度大于顆粒在界面前沿運(yùn)動(dòng)速度時(shí)，顆粒就被
固液界面吞食，當(dāng)凝固速度小于時(shí)，顆粒就被排斥在固液體界面
前沿 ，顆粒尺寸小于一次、二次枝晶間距時(shí)，顆粒有可能被枝
晶吞食，反之，顆粒將被排斥到晶界上，所以，增大凝固速度，
可以進(jìn)一步細(xì)化枝晶，提高粒子分布的均勻性。
試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，SiC顆粒和基體界面存在著3種狀態(tài)；（1）界面
有間隙（圖2），這是由于金屬液處于半凝固狀態(tài)，當(dāng)顆粒出現(xiàn)
集結(jié)時(shí)，金屬液補(bǔ)縮通道狹窄，補(bǔ)縮壓力不足亂，（2）界面無
反應(yīng)物，光滑平整，（3）界面有反應(yīng)物生成，可見斷續(xù)反應(yīng)層
，見圖3中B處，此時(shí)，基體會(huì)以SiC顆粒作為襯底生長，這些情
況產(chǎn)生于不同顆�；蛲活w粒的不同部位，并和碳化硅顆粒的表
面狀態(tài)，界面化學(xué)成分，顆粒晶面取向等因素有關(guān)。
SiC顆粒經(jīng)高溫焙燒，可去除界面微區(qū)能譜成分分析表明這里
存在著的富集，因?yàn)楹脱跤H和力強(qiáng)，無論從動(dòng)力學(xué)還是熱力學(xué)條
件同，都可發(fā)生下列反應(yīng)生成物進(jìn)一步反應(yīng)生成改善了合金的潤
濕性，使得相能依附于SiC生長，但是由于預(yù)處理時(shí)不均勻，或
者同一顆粒不同位置的表面狀態(tài)不具備上述條件，導(dǎo)致了界面狀
態(tài)的多樣化。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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