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特別的挑戰(zhàn)是在3D結構,如溝槽或通孔,上涂覆光刻膠。如果
是在金屬表面涂膠,基于電鍍原理,采用電泳法常?稍趪乐刈冃
的表面涂覆光刻膠。另一種可在嚴重變形表面沉積光刻膠的是噴涂
技術,可用于金屬甚至非金屬表面。光刻膠或聚合物稀釋后被改性
,通過特殊噴嘴噴射到圓片上,即使接近垂直的側壁上也可以進行
涂覆。
噴涂的另一個好處是可以降低光刻膠材料消耗。在旋涂過程中
,大部分光刻膠被旋出圓片邊緣,而噴涂只在圓片表面涂覆光刻膠
。對于較厚的光刻膠,必須采用多步噴涂。由于沒有離心力的均化
作用,噴涂光刻膠的薄膜質量(均勻性、平整度)不如旋涂膠。但對
于大多數(shù)封裝應用,光刻膠只是被用作刻蝕或電鍍掩膜。聚合物作
為電絕緣層,膠層只需達到一定厚度即可。
封裝用光刻膠和光敏聚合物,對寬帶紫外(波長為365~436nm
的I,h和g線)掩膜對準機與1倍步進機(相對于前道工藝用遞減步進
機)的波長光譜敏感,掩膜對準機和步進機都配備了水銀短弧燈。
目前封裝中可用這兩種方法實現(xiàn)的最小特征尺寸是光學分辨率為4
μm,涂覆的精確性正變得更加嚴格,只是稍微好于±1 μm,掩膜
對準機與步進光刻機都能夠達到該涂覆精度。
掩膜對準機是一種接近式曝光工具,掩膜板與圓片間的曝光間
隙大約為50μm,整個圓片曝光采用比圓片稍大一點的掩膜板一次
完成。這與步進光刻機不同,步進光刻機使用最大曝光區(qū)域尺寸約
為20mm×40mm的初縮掩模板。因此,為了曝光整個圓片,必須進行
多次曝光。與掩膜對準機相比,步進光刻機存在產量上的劣勢,特
別是對于大尺寸圓片加工。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科