標(biāo)題：光刻膠結(jié)構(gòu)熱氧化微電子學(xué)技術(shù)-分析顯微鏡
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2017-6-13 22:18:57
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正文:
光刻膠結(jié)構(gòu)熱氧化微電子學(xué)技術(shù)-分析顯微鏡
用于半導(dǎo)體技術(shù)中的光刻膠可以根據(jù)曝光的光源進(jìn)行修正，叫以通
過(guò)改變光刻膠的分子結(jié)構(gòu)，進(jìn)而改變它的化學(xué)性能，如溶解度。最
大的敏感性一般位于紫外線區(qū)域，并且敏感性隨波長(zhǎng)的增加而降低
�？刮g劑可以在黃光下被進(jìn)行處理，曝光不是隨意的，因此加工晶
片涂層的房間，可以用黃色燈光照明(“黃光房間”)。光學(xué)光刻包
括下列不同的過(guò)程：基體準(zhǔn)備(清洗)；涂層(噴涂)：干燥；曝光；
顯影；硅片表面的局部修改；抗蝕劑的去除(剝離)。
表面改性
熱氧化
在較高溫度和富氧環(huán)境下，硅片表面可以形成氣體不能穿透并
且耐化學(xué)性的SiOz層，這一Si02層為保證硅在微電子學(xué)中的重要地
位發(fā)揮了較大的作用。SiO：層的應(yīng)用如下：鈍化層；掩模層；絕
緣層；電介質(zhì)層；促進(jìn)層的粘接。
在熱氧化過(guò)程中，晶片表面的硅原子在氧化性環(huán)境中逐層反應(yīng)
。氧化層不隨時(shí)間以線性方式增長(zhǎng)，而是隨時(shí)間以指數(shù)方式增長(zhǎng)。
為與硅原子反應(yīng)，氧原子必須通過(guò)越來(lái)越厚的Si02層擴(kuò)散進(jìn)去。硅
處理的溫度在800—1200℃。在無(wú)水蒸氣的條件下，稱為“干式，
，氧化過(guò)程。無(wú)水氧化物具有優(yōu)良的絕緣性能，幾乎無(wú)缺陷‘但是
這種方法，要獲得0．1Pm的氧化層需要約10h。
如果氧化過(guò)程在富有水蒸氣的反應(yīng)室中進(jìn)行，則稱為“濕式”
氧化過(guò)程。與“干式，，氧化過(guò)程相比，“濕式”氧化層呈多孔
性并且非常容易被水分子穿透進(jìn)而與新的硅原子反應(yīng)。“濕式”氧
化法容易獲得較厚的氧化物層�！皾袷剑�，氧化物層與“干式”氧
化物層相比，具有較低的密度和低的剝離電壓。
擴(kuò)散
在微電子學(xué)中，摻雜是產(chǎn)生P-N結(jié)最重要的環(huán)節(jié)。P—N結(jié)是在
單晶硅拉制時(shí)經(jīng)摻雜形成的。在半導(dǎo)體技術(shù)中，這些P-N結(jié)形成了
每一個(gè)器件的中心組元。在晶體的拉制時(shí)，已經(jīng)摻雜成N型或P型半
導(dǎo)體，在制造電子元件時(shí)，還必須在斷面結(jié)構(gòu)必須引入摻雜梯度。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
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